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IPB011N04N G /MOSFET N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
IPB011N04N G的规格信息
IPB011N04N G的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-7

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:40 V

Id-连续漏极电流:180 A

Rds On-漏源导通电阻:1.1 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:250 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:4.4 mm

长度:10 mm

系列:OptiMOS 3

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:9.25 mm

商标:Infineon Technologies

下降时间:13 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:10 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:63 ns

典型接通延迟时间:40 ns

零件号别名:IPB011N04NGATMA1 IPB11N4NGXT SP000388298

单位重量:1.600 g

供应商IPB011N04N G
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深圳市威雅利发展有限公司IPB011N04N G华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
18124047120		韩雪Email:3004202884@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司IPB011N04N G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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深圳市河锋鑫科技有限公司IPB011N04N G华强北现代之窗A 9D0755-23903154
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深圳市佳威星科技有限公司IPB011N04N G深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
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集好芯城IPB011N04N G深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
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深圳瀚顺芯电子科技有限公司IPB011N04N G深圳市福田区福田街道皇岗社区吉龙一村26栋801室18927111567黄Email:1585681270@qq.com询价
深圳市拓亿芯电子有限公司IPB011N04N G深圳市福田区振兴西路华康大厦2栋6030755-82777855,0755-82702619
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司IPB011N04N G深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼2100755-83230201
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